目前，人們多數使用的是基於Flash快閃記憶體的固態盤。相變儲存尚在實驗室，DRAM固態盤採用常見記憶體顆粒，資料需要額外的電源才能儲存，使用者不多。
固態盤常見介面有SATA(普通PC使用的序列ATA介面)、PCI-Express(常見於顯示卡裝置的介面，特點在於高速)等多種。不同的介面，其實都是為了通用、高速的目的。
Flash的最小儲存單元是晶浮柵電晶體，對應於磁碟中的一個bit的儲存單元。
磁碟中，利用磁極的不同來標記0,1，當磁頭掃過盤面，通過感應電流就可以識別出不同狀態，即讀取資料;增強磁頭的磁性，可以改變盤面記錄單元的狀態，實現寫入資料。
固態盤中，在儲存單元電晶體的柵(Gate)中，注入不同數量的電子，通過改變柵的導電效能，改變電晶體的導通效果，實現對不同狀態的記錄和識別。有些電晶體，柵中的電子數目多與少，帶來的只有兩種導通狀態，對應讀出的資料就只有0/1;有些電晶體，柵中電子數目不同時，可以讀出多種狀態，能夠對應出00/01/10/11等不同資料。所以，Flash的儲存單元可分為SLC(一個蘿蔔一個坑)和MLC(2個/多個蘿蔔一個坑)兩種。
區別在於SLC的狀態簡單，所以讀取很容易，MLC有多種狀態，讀取時，容易出錯，需要校驗，速度相對較慢。實際MLC的狀態識別過程比上述複雜很多，讀取一次MLC的功耗比SLC大很多。由於材料本身的緣故，SLC可以接受10萬次級的擦寫，而MLC材料只能接受萬次級擦寫操作，所以MLC的壽命比SLC少很多。但是，也是最重要的.，由於MLC中的資訊量大，同一個儲存單元，資訊量是SLC的N倍，所以相同容量的磁碟，MLC型別Flach成本更低，儲存單元體積更小，這也導致市面上多數固態盤都採用了MLC型的Flash顆粒。SLC由於其特性，僅在高階的高速儲存裝置中使用。
有了上述介紹，不難理解，固態盤寫入，就是改變電晶體裡柵中電子數目的過程。讀出，就是向電晶體施加電壓，獲取不同導通狀態，對應識別儲存資料的過程。
Flash顆粒便是大量這種浮柵電晶體的陣列，一般的U盤中會有1-2粒這種Flash顆粒，視容量而定;在SSD硬碟中，常見會有8-16粒Flash顆粒。
不過，使用者在使用過程中，對器件的負面特性並不需要擔心太多，生產廠商已經做出了考慮。如，由於單個儲存單元的訪問次數有限，如果長期在同一個區域重複讀寫，會導致該儲存區域失效，進而影響整塊盤的壽命。於是，業界研究了負載平衡技術，將使用者的訪問請求均勻分佈在所有儲存單元中，以延長整個盤壽命。而這個“不要在一隻羊身上薅羊毛”的事情，就是固態盤控制器的任務了。