論文提綱的作用主要表現在將畢業論文內容按照一定的構建搭建起來，以下是小編蒐集整理的物理學博士學位論文提綱，歡迎閱讀檢視。
物理學博士學位論文提綱範文一
摘要 4-6
Abstract 6-7
目錄 8-11
第1章 緒論 11-37
1.1 課題研究背景及意義 11-12
1.2 透明導電薄膜的分類及特性 12-20
1.2.1 單層透明導電薄膜 13-19
1.2.2 疊層透明導電薄膜 19-20
1.3 介面對疊層透明導電薄膜效能的影響 20-22
1.3.1 介面對疊層透明導電薄膜穩定性的影響 21-22
1.3.2 介面對疊層透明導電薄膜光電效能的影響 22
1.4 透明導電薄膜的應用 22-30
1.5 疊層透明導電薄膜的研究現狀 30-34
1.6 本論文的主要工作及創新點 34-37
第2章 新型高效能NiO/Ag/NiO疊層透明導電薄膜的製備及其在有機太陽能電池上的應用 37-65
2.1 引言 37-39
2.2 實驗方法 39-41
2.2.1 NAN疊層透明導電薄膜的製備與效能測試 39
2.2.2 以NAN和ITO為陽極的太陽能電池的製備方法與效能測試 39-41
2.3 結果與討論 41-51
2.3.1 NAN薄膜的光學效能 41-45
2.3.2 NAN薄膜的電學效能及其穩定性 45-48
2.3.3 NAN薄膜的表面形貌 48-49
2.3.4 NAN薄膜在有機太陽能電池中的應用 49-51
2.4 本章小結 51-52
2.5 引言 52-53
2.6 實驗方法 53-54
2.7 結果與討論 54-63
2.8 本章小結 63-65
第3章 疊層透明導電薄膜SnO_x/Ag/SnO_x的製備及其在有機太陽能電池中的應用 65-96
3.1 引言 65
3.2 實驗方法 65-67
3.2.1 SAS疊層透明導電薄膜的製備與效能測試 66
3.2.2 以SAS和ITO為陰極的太陽能電池的製備方法與效能測試 66-67
3.3 結果與討論 67-77
3.3.1 SAS薄膜的光學效能 67-70
3.3.2 SAS薄膜的電學效能 70-72
3.3.3 SAS薄膜的表面形貌 72-73
3.3.4 SAS薄膜在有機太陽能電池中的應用 73-77
3.4 本章小結 77-78
3.5 引言 78-79
3.6 實驗方法 79-80
3.6.1 Bi_2O_3介面層以及SASB電極的製備過程及測試方法 79-80
3.6.2 倒置太陽能電池的製備過程 80
3.7 結果與討論 80-92
3.7.1 Bi_O_3作為陰極介面層在有機太陽能電池中的.應用 80-82
3.7.2 SASB 薄膜的光電效能 82-84
3.7.3 SASB的表面形貌 84-86
3.7.4 低功函SASB電極在有機太陽能電池中的應用 86-92
3.8 本章小結 92-93
3.9 總結 93-94
3.10 展望 94-96
參考文獻 96-111
在學期間學術成果情況 111-112
指導教師及作者簡介 112-113
物理學博士學位論文提綱範文二
摘要 5-7
Abstract 7-8
目錄 9-12
第1章 緒論 12-26
1.1 半導體鐳射器的研究進展 12-21
1.1.1 高功率半導體鐳射器 12-15
1.1.2 高效率半導體鐳射器 15
1.1.3 高可靠性半導體鐳射器 15-16
1.1.4 高光束質量半導體鐳射器 16-18
1.1.5 窄線寬半導體鐳射器 18-21
1.2 單縱模半導體鐳射器的研究進展 21-23
1.2.1 國外單縱模半導體鐳射器的研究進展 22-23
1.2.2 國內單縱模半導體鐳射器的研究進展 23
1.3 本文的研究目的與內容 23-26
第2章 高階光柵單縱模半導體鐳射器理論設計與分析 26-46
2.1 半導體鐳射器的基本特性 26-29
2.1.1 半導體的輻射躍遷 26-27
2.1.2 半導體鐳射器的增益與閾值條件 27-29
2.2 半導體鐳射器的輸出功率與轉換效率 29-31
2.2.1 半導體鐳射器的輸出功率 29-30
2.2.2 半導體鐳射器的轉化效率 30-31
2.3 半導體鐳射器的縱模與光譜特性 31-32
2.4 高階布拉格光柵波導的理論模型 32-38
2.4.1 分佈反饋(DFB)鐳射器和分佈布拉格反射(DBR)鐳射器 32-33
2.4.2 散射理論 33-36
2.4.3 傳輸矩陣理論模型 36-38
2.5 高階布拉格光柵波導的光學特性分析 38-42
2.5.1 傳輸矩陣分析 38-40
2.5.2 高階布拉格光柵的損耗光譜 40-42
2.6 單縱模鐳射器的空間相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理論計算方法 43-45
2.7 本章小結 45-46
第3章 高階光柵單縱模半導體鐳射器製備 46-68
3.1 外延生長技術 46-47
3.2 光刻技術 47-52
3.3 刻蝕技術 52-61
3.3.1 幹法刻蝕 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蝕工藝探索 55-59
3.3.3 溼法腐蝕 59-61
3.4 薄膜生長技術 61-65
3.4.1 電絕緣膜生長技術 62
3.4.2 金屬電極生長技術 62-64
3.4.3 光學薄膜生長技術 64-65
3.5 高階光柵半導體鐳射器的製備 65-66
3.6 本章小結 66-68
第4章 高階光柵分佈布拉格反射半導體鐳射器 68-94
4.1 高階光柵單縱模分佈布拉格反射半導體鐳射器 68-81
4.1.1 器件結構設計 68-76
4.1.2 器件製備 76-77
4.1.3 器件測量結果 77-81
4.2 雙波長高階光柵分佈布拉格發射鐳射器 81-86
4.2.1 器件設計 81-83
4.2.2 器件製備 83-84
4.2.3 器件測量結果 84-86
4.3 高階光柵耦合半導體鐳射器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光譜分析技術原理 87-88
4.3.2 測試結果與分析 88-92
4.4 本章小結 92-94
第5章 高階光柵單縱模分佈反饋半導體鐳射器 94-100
5.1 器件製備 94-96
5.2 器件測量結果 96-99
5.3 本章小結 99-100
第6章 單縱模半導體鐳射器件空間相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL單管器件空間相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理論 101-103
6.1.2 測試結果 103-107
6.2 VCSEL列陣器件的空間相干特性研究 107-114
6.2.1 器件設計 107-110
6.2.2 器件製備 110
6.2.3 測試結果 110-114
6.3 本章小結 114-116
第7章 總結與展望 116-118
參考文獻 118-132