全部作者：趙弘鑫 程秀蘭第1作者單位：中芯國際積體電路製造有限公司論文摘要：在半導體制造工藝的幹法刻蝕（Dry Etching）中，對於刻蝕薄膜表面面積大小的差異性會造成負載效應（Loading effect）。然而這種負載效應影響到幹刻蝕的蝕刻率（Etch Rate）和選擇比(Selectivity)而在產品上出現嚴重的缺陷。本文闡述了負載效應的基本原理和造成選擇比差異性的'成因以及對於由此產生產品缺陷的具體解決方案。關鍵詞：半導體制造，幹法刻蝕，負載效應，選擇比，缺陷 (瀏覽全文)發表日期：2008年04月30日同行評議：
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