DDR記憶體是在SDRAM記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通SDRAM的裝置稍加改進，即可實現DDR記憶體的生產，可有效的降低成本。
工作原理
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次資料，它是在時鐘的上升期進行資料傳輸;而DDR記憶體則是一個時鐘週期內傳輸兩次次資料，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料，因此稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。DDR記憶體可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的資料傳輸率。
效能特點
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、資料的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波訊號)技術，當資料有效時，儲存控制器可使用這個資料濾波訊號來精確定位資料，每16次輸出一次，並重新同步來自不同儲存器模組的資料。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出資料，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的'針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等訊號。DDR記憶體採用的是支援2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。