全部作者：楊創華 謝泉 趙鳳娟 陳茜 任雪勇 樑豔 曾武賢第1作者單位：貴州大學論文摘要：採用第1性原理贗勢平面波方法系統的計算了Ca2Si電子結構和光學性質，其中包括能帶、態密度、介電函式、復折射率、吸收係數、光電導率和能量損失函式。計算結果顯示Ca2Si是典型的半導體，正交相結構有1個直接的帶隙，並且光學性質顯示出各向異性。Ca2Si立方相的計算結果也顯示是直接帶隙半導體，並且有很高的`振子強度。從能帶和態密度的計算結果判斷出它們的光學性質主要由Si的3p態電子向Ca的3d態的帶間躍遷所決定。關鍵詞：Ca2Si； 第1性原理計算； 電子結構； 光學性質 (瀏覽全文)發表日期：2007年07月11日同行評議：
目前尋求與矽積體電路工藝.相相容的光電子材料是半導體材料研究領域的熱點之1。Ca2Si就是潛在的有應用前景的1種材料。但是，目前關於該材料的實驗和理論的研究都處於起步階段。楊創華等人的論文從第1性原理出發，研究了Ca2Si的電子結構和光學性質，該出了該材料的能帶，態密度，介電函式，復折射率，吸收係數，光電導率和能量損失函式的有關結果，並證實立方相Ca2Si是直接帶隙半導體。論文得到的結果對於今後的研究具有較好的參考價值。該論文行文流暢，分析合理，邏輯性強。
